| 專(zhuān)利名稱(chēng) |
圖像模式識(shí)別模擬與數(shù)字混合憶阻設(shè)備及制備，實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別方法 |
| 申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào) |
CN201910171142.7 |
專(zhuān)利權(quán)人（第一權(quán)利人） |
東北師范大學(xué) |
| 申請(qǐng)日 |
2019-03-07 |
授權(quán)日 |
2023-05-23 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別 |
授權(quán)發(fā)明 |
戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)分類(lèi) |
雙五星 |
| 技術(shù)主題 |
濺射|圖像模式識(shí)別|信號(hào)設(shè)計(jì)|氧化鎢|電阻切換|高壓電|電氣電子工程 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 |
字符和模式識(shí)別|神經(jīng)架構(gòu)|神經(jīng)學(xué)習(xí)方法 |
| 意向價(jià)格 |
具體面議 |
| 專(zhuān)利概述 |
本發(fā)明涉及一種圖像模式識(shí)別模擬與數(shù)字混合憶阻設(shè)備及制備，實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別方法，包括底電極，頂電極，位于兩電極之間的氧化鎢薄膜組成的阻變功能層，該薄膜由磁控濺射生長(zhǎng)；在小電壓刺激下設(shè)備呈現(xiàn)模擬型阻變，在大電壓下刺激下設(shè)備呈現(xiàn)數(shù)字型阻變，并且通過(guò)信號(hào)設(shè)計(jì)兩種阻變行為都能實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)STDP學(xué)習(xí)規(guī)則和圖像模式識(shí)別方法，通過(guò)電壓調(diào)整界面電阻和體電阻，在單個(gè)Au/WOx/Ti憶阻設(shè)備件中演示了模擬與數(shù)字阻變行為，并且在該憶阻系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)的學(xué)習(xí)精度和速度模擬模式識(shí)別。 |
| 圖片資料 |
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| 合作方式 |
面議 |
| 聯(lián)系人 |
戚梅宇 |
聯(lián)系電話(huà) |
13074363281 |
